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RUMetalloxid-Pseudokondensator
Für die Metalloxid-Pseudokondensator gibt es insgesamt 364 relevante Standards.
In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Metalloxid-Pseudokondensator die folgenden Kategorien: Isolierung, Elektronische Ger?te, Diskrete Halbleiterger?te, Geb?udeschutz, Zutaten für die Farbe, übertragungs- und Verteilungsnetze, Ventil, Isolierflüssigkeit, Glasfaserkommunikation, Nichteisenmetalle, Schaltger?te und Controller, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Isoliermaterialien, nichtmetallische Mineralien, Kondensator, Ferrolegierung, Kraftwerk umfassend, Thermodynamik und Temperaturmessung, Widerstand, Oberfl?chenbehandlung und Beschichtung, Zahnheilkunde, Pulvermetallurgie, Paraffin, bitumin?se Materialien und andere Erd?lprodukte, analytische Chemie, Umfangreiche elektronische Komponenten, Elektrotechnik umfassend, Nichteisenmetallprodukte, Physik Chemie, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Uhrmacherkunst, Elektrische und elektronische Prüfung, Batterien und Akkus, Fahrzeuge, Elektrizit?t, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Prüfung von Metallmaterialien, Keramik.
Professional Standard - Machinery, Metalloxid-Pseudokondensator
- JB/T 9670-2014 Zinkoxid für den Varistor von Metalloxid-überspannungsableitern
- JB/T 9670-1999 Zinkoxid für den Varistor von Metalloxid-überspannungsableitern
- JB/T 8444-1996 Technische Spezifikation für einen elektrischen Silber-Metalloxid-Schütz mit pulvermetallurgischem Verfahren
- JB/T 8444-2015 Spezifikation für elektrische Silber-Metalloxid-Kontakte durch Pulvermetallurgie
- JB/T 10492-2011 überwachungsger?te für Metalloxid-überspannungsableiter
- JB/T 7617-1994 Spaltfreier Metalloxid-überspannungsableiter in Topfform mit Schwefelhexafluorid
- JB/T 9672.1-1999 Metalloxid-überspannungsableiter mit Reihenlücken für Gleichstromsysteme
- JB/T 9672.2-2005 Metalloxid-überspannungsableiter mit Reihenlücken Teil 2: Metalloxid-überspannungsableiter mit Reihenlücken für Wechselstromsysteme von 35 kV und darunter
- JB/T 10676-2006 AC-Motorkondensator mit metallisierter Sicherheitsfolie
- JB/T 9672.1-2013 Metalloxid-überspannungsableiter mit Reihenlücken. Teil 1: Metalloxid-überspannungsableiter mit Reihenlücken für Gleichstromsysteme von 3 kV und darunter
- JB/T 10492-2004 überwacht Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken im Wechselstromsystem
- JB/T 5894-1991 Gebrauchsanleitung für AC-Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken
- JB/T 6479-2014 Metalloxid-überspannungsableiter mit Reihenlücken für Leitungsableiter für Wechselstromnetze
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Metalloxid-Pseudokondensator
- GB 13397-1992 Technische Spezifikation für elektrische Silber-Metalloxid-Kontakte durch Legierungs-Innenoxidationsverfahren
- GB/T 13397-2008 Technische Spezifikation für elektrische Silber-Metalloxid-Kontakte durch Legierungs-Innenoxidationsverfahren
- GB/T 12690.8-1990 Neodym und Neodymoxid – Bestimmung der Gehalte an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Samariumoxid und Yttriumoxid – Emissionsspektrographisches Verfahren
- GB/T 12690.3-1990 Cer und Ceroxid – Bestimmung der Gehalte an Lanthanoxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid und Yttriumoxid – Emissionsspektrographisches Verfahren
- GB/T 12690.7-1990 Neodym und Neodymoxid – Bestimmung der Gehalte an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Samariumoxid, Yttriumoxid – R?ntgenfluoreszenzspektrometrische Methode
- GB/T 24123-2009 Metallisierte Folie für Kondensatoren
- GB/T 11032-2010 Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
- GB 11032-2000 Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
- GB 11032-2010 Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
- GB/T 27746-2011 Technische Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV), die in Niederspannungsger?ten verwendet werden
- GB/T 12690.1-1990 Lanthanoxid – Bestimmung von Ceroxid, Praseodymoxid, Nedeodyniumoxid, Samariumoxid und Yttriumoxid – Atomemissionsspektrographische Methode mit induetiv gekoppeltem Plasma
- GB/T 12690.29-2000 Seltenerdmetalle und ihre Oxide Bestimmung des Ceroxidgehalts – Fluoreszenzspektrophotometrische Methode
- GB/T 25083-2010 Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für ±800-kV-UHGü-Systeme
- GB/T 12690.28-2000 Seltenerdmetalle und ihre Oxide – Bestimmung des Calciumoxidgehalts – Atomemissionsspektrographische Methode mit induktiv gekoppeltem Plasma
- GB/T 12690.9-1990 Neodymoxid – Bestimmung der Gehalte an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Samariumoxid und Yttriumoxid – Spektrochemische Methode
- GB/T 12690.4-1990 Ceroxid – Bestimmung der Gehalte an Lanthanoxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid und Yttriumoxid – Spektrochemische Methode
- GB/T 12690.10-1990 Gadoliniumoxid – Bestimmung der Gehalte an Samariumoxid, Europiumoxid, Terbiumoxid, Dysprosiumoxid und Yttriumoxid – Emissionsspektrographische Methode
- GB/T 12690.6-1990 Praseodymoxid – Bestimmung der Gehalte an Lanthanoxid, Ceroxid, Neodymoxid, Samariumoxid und Yttriumoxid – Emissionsspektrografische Methode
- GB/T 12690.2-1990 Lanthanoxid – Bestimmung der Gehalte an Neodymoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Samariumoxid und Yttriumoxid – Emissionsspektrographische Methode
- GB/T 15652-1995 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
- GB/T 12690.13-1990 Neodym und Samarium – Bestimmung des Kohlenstoffgehalts – Hochfrequenz – Infrarot-Absorptionsverfahren
- GB/Z 43032-2023 Probenvorbereitungsmethoden zur Charakterisierung von Metall- und Metalloxid-Nanoobjekten in nanotechnologischen Wasserproben
- GB/T 12690.14-1990 Lanthanoxid, Ceroxid, Neodymoxid, Gadoliniumoxid – Bestimmung des Kobalt-, Eisen-, Mangan-, Nickel-, Kupfer-, Chrom-, Blei- und Zinkgehalts in Oxiden – Emissionsspektrografische Methode
- GB/T 15653-1995 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
- GB/T 12690.5-1990 Praseodymoxid – Bestimmung der Gehalte an Lanthanoxid, Ceroxid, Neodymoxid, Samariumoxid und Yttriumoxid – R?ntgenfluoreszenzspektrometrische Methode
- GB/T 12690.11-1990 Terbiumoxid – Bestimmung der Gehalte an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Europiumoxid, Gadoliniumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid und Yttriumoxid – Emissionsspektrographie
- GB/T 6462-2005 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode
- GB/T 28547-2012 Auswahl- und Anwendungsempfehlungen von Metalloxid-überspannungsableitern für Wechselstromsysteme
- GB/T 28547-2023 Richtlinien für die Auswahl und Verwendung von AC-Metalloxid-überspannungsableitern
- GB/T 18802.331-2007 Komponenten für Niederspannungs-überspannungsschutzger?te. Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
US-FCR, Metalloxid-Pseudokondensator
US-CFR, Metalloxid-Pseudokondensator
Defense Logistics Agency, Metalloxid-Pseudokondensator
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, CMOS, HEX-SPANNUNGSPEGELVERSCHALTER FüR TTL-ZU-CMOS- ODER CMOS-ZU-CMOS-BETRIEB, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA A-A-55564/3 B-2004 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR), METALLOXID, RADIALLEITUNG
- DLA A-A-55562 A-2001 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALLOXID), CHIP
- DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALLOXID), CHIP
- DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip
- DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8-BIT-IDENTIT?TSKomparator, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA A-A-55564/2 B-2012 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR), METALLOXID, HOHE ENERGIE
- DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 MIKROSCHALTUNG, MIKROPROZESSOR, KOMPATIBLE ECHTZEITUHR, CMOS MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA A-A-55564/3 C-2012 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR), METALLOXID, RADIALLEITUNG
- DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 1210
- DLA MIL-PRF-83530 C-2008 WIDERST?NDE, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALOXID), ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FüR
- DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 0603
- DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 1206
- DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 0402
- DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 0805
- DLA QPL-83530-7-2004 WIDERST?NDE, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALOXID), ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FüR
- DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 MIKROKREISE, LINEAR, CMOS, HOCHLEISTUNGS-DUAL-SCHALTKONDENSATORFILTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-96736-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, HOCHGESCHWINDIGKEIT 8-BIT BIDIREKTIONALER CMOS/TTL-SCHNITTSTELLEN-PEGELKONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA A-A-55562/2 A-2001 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALLOXID), CHIP, STIL 0805
- DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT 3 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHER 3-EINGANG UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, 10-BIT-NICHTINVERTIERENDES REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHT INVERTIERENDES 9-BIT-REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88624-1988 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, PROGRAMMIERBARER TEILER-DURCH-N-Z?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS 16 x 16 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-95762-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLER CMOS, PUFFER/TAKTTREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16 x 16 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 MIKROKREISE, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, MULTIPLEXER MIT 8 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-94745-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 256K X 1-BIT SERIELLE KONFIGURATION PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH, 2 EING?NGE UND GATE, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, ADVANCED CMOS, HEX-INVERTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREISTATUS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, SYNCHRON, VOREINSTELLBAR, BIN?R, Z?HLER, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-94709-1994 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, BANG-BANG-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES ADVANCED CMOS, 9-BIT-GENERATORPRüFUNG MIT UNGERADE/GERADE PARIT?T, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-97571-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACHES POSITIVE-NOR-GATE MIT 2 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-97528-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACHES POSITIVE-NOR-GATE MIT 2 EING?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, 10-BIT-BUS/MOS-SPEICHERTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, QUAD-MULTIPLEXER MIT 2 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OKTAL-D-REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, VIERFACH, ZWEI EING?NGE UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 14-STUFIGER BIN?R-RIPPLE-Z?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS-HEX-WECHSELRICHTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-96803-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT DREI EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DOPPEL-4-EINGANG-NAND-GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 MIKROSCHALTUNG, NMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS-UNTERBRECHUNGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT 3 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH, 2 EING?NGE ODER GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL 4-EING?NGE NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, NAND-GATE MIT 8 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8x8 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DOPPELTER 4-EINGANG NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACHER 3-EINGANG UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DOPPELTER 4-EINGANG UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ECHTZEITUHR, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACHER 3-EINGANG NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, VIERFACH, 2-EING?NGE, POSITIV- UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, VIERFACHES POSITIVES NAND-GATE MIT 2 EING?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Metalloxid-Pseudokondensator
- GJB 3794-1999 Spezifikation für silberbasierte Metalloxidlegierungen für elektrische Kontakte
- GJB 3794A-2018 Spezifikation für verarbeitete Materialien für den elektrischen Kontakt mit silberbasierten Metalloxiden
中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會, Metalloxid-Pseudokondensator
- GB/T 34869-2017 Metalloxid-Varistor zum Schutz von Reihenkompensations-Kondensatorb?nken
- GB/T 32996-2016 Chemische Oberfl?chenanalyse – Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Metalloxid-Pseudokondensator
American Society for Testing and Materials (ASTM), Metalloxid-Pseudokondensator
- ASTM F1153-92(1997) Standardtestmethode zur Charakterisierung von Metalloxid-Silizium (MOS)-Strukturen durch Kapazit?ts-Spannungsmessungen
- ASTM E1652-00 Standardspezifikation für Magnesiumoxid- und Aluminiumoxidpulver und zerbrechbare Isolatoren, die bei der Herstellung von metallummantelten Platin-Widerstandsthermometern, Thermoelementen aus unedlen Metallen und Thermoelementen aus Edelmetallen verwendet werden
- ASTM E1652-03 Standardspezifikation für Magnesiumoxid- und Aluminiumoxidpulver und zerbrechbare Isolatoren, die bei der Herstellung von metallummantelten Platin-Widerstandsthermometern, Thermoelementen aus unedlen Metallen usw. verwendet werden
- ASTM E1652-21 Standardspezifikation für Magnesiumoxid- und Aluminiumoxidpulver und zerbrechbare Isolatoren, die bei der Herstellung von Thermoelementen aus unedlen Metallen, metallummantelten Platin-Widerstandsthermometern usw. verwendet werden
- ASTM E1652-10 Standardspezifikation für Magnesiumoxid- und Aluminiumoxidpulver und zerbrechbare Isolatoren, die bei der Herstellung von metallummantelten Platin-Widerstandsthermometern, Thermoelementen aus unedlen Metallen und Thermoelementen aus Edelmetallen verwendet werden
Professional Standard - Chemical Industry, Metalloxid-Pseudokondensator
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Metalloxid-Pseudokondensator
SCC, Metalloxid-Pseudokondensator
Professional Standard - Electron, Metalloxid-Pseudokondensator
- SJ/T 11824-2022 Testmethode für ?quivalente Kapazit?t und Spannungs?nderungsrate für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET).
- SJ/T 10465-2015 Metallisierte Polyesterfolie für Kondensatoren
- SJ/T 10465-1993 Metallisierte Polyesterfolie für Kondensatoren
- SJ 20025-1992 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
- SJ/T 10464-2015 Metallisierte Polypropylenfolie für Kondensatoren
- SJ/T 10464-1993 Metallisierte Polypropylenfolie für Kondensatoren
- SJ 20079-1992 Testmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
- SJ 20026-1992 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
- SJ 20149-1992 Spezifikation für aluminiummetallisierte Polyesterfolie für Kondensatoren
British Standards Institution (BSI), Metalloxid-Pseudokondensator
- PD ISO/TS 5094:2023 Nanotechnologien. Bewertung der Peroxidase-?hnlichen Aktivit?t von Metall- und Metalloxid-Nanopartikeln
- BS EN 61643-331:2003 Niederspannungs-überspannungsschutzger?te. Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
- BS EN 60099-4:2014 überspannungsableiter. Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
- BS EN 60099-4:2004+A2:2009 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
- BS EN 60099-4:2004 überspannungsableiter – Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
- PD ISO/TS 25138:2019 Chemische Oberfl?chenanalyse. Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie
- PD ISO/TR 20489:2018 Nanotechnologien. Probenvorbereitung zur Charakterisierung von Metall- und Metalloxid-Nanoobjekten in Wasserproben
International Organization for Standardization (ISO), Metalloxid-Pseudokondensator
- ISO/TS 5094:2023 Nanotechnologien – Bewertung der Peroxidase-?hnlichen Aktivit?t von Metall- und Metalloxid-Nanopartikeln
- ISO/TS 25138:2019 Chemische Oberfl?chenanalyse – Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie
國家能源局, Metalloxid-Pseudokondensator
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- GOST 23862.23-1979 Seltenerdmetalle und ihre Oxide. Methoden zur Bestimmung von Mangan
- GOST 23862.33-1979 Seltenerdmetalle und ihre Oxide. Methode zur Bestimmung von Silizium
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- GOST 23862.1-1979 Seltenerdmetalle und ihre Oxide. Spektrale Methode zur Bestimmung von Verunreinigungen in Oxiden seltener Erdelemente
- GOST 23862.2-1979 Seltenerdmetalle und ihre Oxide. Direkte spektrale Methode zur Bestimmung von Verunreinigungen in Oxiden seltener Erdelemente
- GOST 23862.28-1979 Seltenerdmetalle und ihre Oxide. Methode zur Bestimmung von Molybd?n und Wolfram
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CZ-CSN, Metalloxid-Pseudokondensator
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International Electrotechnical Commission (IEC), Metalloxid-Pseudokondensator
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Professional Standard - Light Industry, Metalloxid-Pseudokondensator
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GSO, Metalloxid-Pseudokondensator
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- GSO IEC 60099-4:2014 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
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National Electrical Manufacturers Association（NEMA), Metalloxid-Pseudokondensator
BE-NBN, Metalloxid-Pseudokondensator
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KR-KS, Metalloxid-Pseudokondensator
- KS C IEC 60099-4-2021 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
South African Bureau of Standard, Metalloxid-Pseudokondensator
- SANS 60099-4:2007 überspannungsableiter Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
International Telecommunication Union (ITU), Metalloxid-Pseudokondensator
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國家質量監督檢驗檢疫總局, Metalloxid-Pseudokondensator
- SN/T 4965-2017 Klassifizierung chemischer Metalle und Metallverbindungen
German Institute for Standardization, Metalloxid-Pseudokondensator
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Professional Standard - Building Materials, Metalloxid-Pseudokondensator
(U.S.) Ford Automotive Standards, Metalloxid-Pseudokondensator