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Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

Für die Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden gibt es insgesamt 500 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden die folgenden Kategorien: Pulvermetallurgie, Isolierung, Elektronische Ger?te, Diskrete Halbleiterger?te, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, übertragungs- und Verteilungsnetze, Ventil, Glasfaserkommunikation, Isolierflüssigkeit, Schaltger?te und Controller, Thermodynamik und Temperaturmessung, Kernenergietechnik, Zahnheilkunde, Chemikalien, Nichteisenmetalle, Kondensator, Widerstand, Kraftwerk umfassend, Geb?udeschutz, analytische Chemie, nichtmetallische Mineralien, Oberfl?chenbehandlung und Beschichtung, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, L?ngen- und Winkelmessungen, Luftqualit?t, Batterien und Akkus, Elektrische und elektronische Prüfung, Elektrizit?t, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Physik Chemie, Filter, Feuerfeste Materialien, Labormedizin, Drahtlose Kommunikation.

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• YS/T 484-2005 Methode zur Messung der Entladekapazit?t der Wasserstoffspeicherlegierungen als negative Elektrode der Metallhydrid-Nickel-Batterie

Professional Standard - Machinery, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• JB/T 9670-2014 Zinkoxid für den Varistor von Metalloxid-überspannungsableitern
• JB/T 8444-2015 Spezifikation für elektrische Silber-Metalloxid-Kontakte durch Pulvermetallurgie
• JB/T 8444-1996 Technische Spezifikation für einen elektrischen Silber-Metalloxid-Schütz mit pulvermetallurgischem Verfahren
• JB/T 6479-2014 Metalloxid-überspannungsableiter mit Reihenlücken für Leitungsableiter für Wechselstromnetze
• JB/T 10497-2005 Metalloxid-überspannungsableiter mit Polymergeh?use und Serienspalt für Wechselstromübertragungsleitungen
• JB/T 6479-1992 Metalloxid-überspannungsableiter mit Reihenlücke zur Leitungsabschaltung von Wechselstromnetzen

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• KS C 4808-2011(2016) Metalloxid-überspannungsableiter mit Polymergeh?use ohne Lücken für die Verteilungsleitung
• KS M ISO 901:2003 Aluminiumoxid, das haupts?chlich zur Herstellung von Aluminium verwendet wird – Bestimmung der absoluten Dichte – Pyknometer-Methode
• KS C 6425-1985(2000) METALLISIERTE KUNSTSTOFFFILMKONDENSATOREN FüR AC
• KS C 6425-1985 METALLISIERTE KUNSTSTOFFFILMKONDENSATOREN FüR AC
• KS C 4808-2011(2021) Metalloxid-überspannungsableiter mit Polymergeh?use ohne Lücken für die Verteilungsleitung
• KS C 6371-1995(2000) FESTE METALLOXIDFILMWIDERST?NDE FüR ELEKTRONISCHE GER?TE
• KS C 6371-1990 FESTE METALLOXIDFILMWIDERST?NDE FüR ELEKTRONISCHE GER?TE
• KS C 6371-1995 FESTE METALLOXIDFILMWIDERST?NDE FüR ELEKTRONISCHE GER?TE
• KS C 4616-2011 Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• KS C 6428-1992(1997) FEST METALLISIERTE POLYESTERFOLIENKONDENSATOREN ZUR VERWENDUNG IN ELEKTRONISCHEN GER?TEN
• KS C 6428-1992 FEST METALLISIERTE POLYESTERFOLIENKONDENSATOREN ZUR VERWENDUNG IN ELEKTRONISCHEN GER?TEN
• KS C 6428-1979 FEST METALLISIERTE POLYESTERFOLIENKONDENSATOREN ZUR VERWENDUNG IN ELEKTRONISCHEN GER?TEN
• KS D 8519-2009 Metallische und oxidische Beschichtung – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode
• KS D 8519-2009(2015) Metallische und oxidische Beschichtung – Messung der Schichtdicke – mikroskopische Methode
• KS C IEC 60099-4:2021 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• KS M ISO 900:2003 Aluminiumoxid, das haupts?chlich zur Herstellung von Aluminium verwendet wird – Bestimmung des Titangehalts – photometrische Methode mit Diantipyrylmethan
• KS M ISO 900:2013 Aluminiumoxid, das haupts?chlich zur Herstellung von Aluminium verwendet wird – Bestimmung des Titangehalts – photometrische Methode mit Diantipyrylmethan
• KS L ISO 21068-3-2012(2022) Chemische Analyse siliziumkarbidhaltiger Rohstoffe und feuerfester Produkte – Teil 3: Bestimmung von Stickstoff, Sauerstoff sowie metallischen und oxidischen Bestandteilen
• KS C IEC 60099-4:2019 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• KS C IEC 61643-331-A:2014 Komponente für Niederspannungs-überspannungsschutzger?te – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
• KS C IEC 60099-4:2012 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• KS C IEC 61643-331-A:2015 Komponente für Niederspannungs-überspannungsschutzger?te – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
• KS C IEC 61643-331:2006 Komponenten für Niederspannungs-überspannungsschutzger?te – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
• KS C ISO TS 18827:2021 Nanotechnologien – Elektronenspinresonanz (ESR) als Methode zur Messung reaktiver Sauerstoffspezies (ROS), die von Metalloxid-Nanomaterialien erzeugt werden

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• GB/T 13397-2008 Technische Spezifikation für elektrische Silber-Metalloxid-Kontakte durch Legierungs-Innenoxidationsverfahren
• GB 13397-1992 Technische Spezifikation für elektrische Silber-Metalloxid-Kontakte durch Legierungs-Innenoxidationsverfahren
• GB/T 27746-2011 Technische Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV), die in Niederspannungsger?ten verwendet werden
• GB/T 12690.9-2003 Chemische Analysemethoden für Nicht-Seltenerd-Verunreinigungen von Seltenerdmetallen und deren Oxiden – Bestimmung des Chlorgehalts – Turbidimetrische Methode mit Silbernitrat
• GB/T 12690.28-2000 Seltenerdmetalle und ihre Oxide – Bestimmung des Calciumoxidgehalts – Atomemissionsspektrographische Methode mit induktiv gekoppeltem Plasma
• GB/T 20170.2-2006 Prüfverfahren für physikalische Eigenschaften von Seltenerdmetallen und -verbindungen. Bestimmung der spezifischen Oberfl?che von Seltenerdmetallverbindungen
• GB/T 41917-2022 Nanotechnologien – Elektronenspinresonanz (ESR) als Methode zur Messung reaktiver Sauerstoffspezies (ROS), die von Metalloxid-Nanomaterialien erzeugt werden
• GB/T 18802.331-2007 Komponenten für Niederspannungs-überspannungsschutzger?te. Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
• GB/T 12690.17-2010 Chemische Analysemethoden für Nicht-Seltenerd-Verunreinigungen in Seltenerdmetallen und deren Oxiden. Teil 17: Bestimmung des Niob- und Tantalgehalts von Seltenerdmetallen
• GB/T 12690.14-2006 Chemische Analysemethoden für Nicht-Seltenerd-Verunreinigungen in Seltenerdmetallen und deren Oxid. Bestimmung von Titan in Seltenerdmetallen
• GB/T 12690.15-2006 Chemische Analysemethoden für Nichtseltenerdmetalle und deren Oxide. Bestimmung des Calciumoxidgehalts
• GB/T 12690.3-2015 Chemische Analysemethoden für Nicht-Seltenerd-Verunreinigungen von Seltenerdmetallen und ihren Oxiden. Teil 3: Bestimmung des Wassergehalts von Seltenerdoxiden. Gravimetrische Methode
• GB/T 12690.2-2015 Chemische Analysemethoden für Nicht-Seltenerd-Verunreinigungen von Seltenerdmetallen und ihren Oxiden. Teil 2: Bestimmung des Glühverlustgehalts von Seltenerdoxiden. Gravimetrische Methode
• GB/T 12690.2-2015(英文版) Chemische Analysemethoden für Nicht-Seltenerd-Verunreinigungen von Seltenerdmetallen und ihren Oxiden – Teil 2: Bestimmung des Glühverlustgehalts von Seltenerdoxiden – Gravimetrische Methode

American Society for Testing and Materials (ASTM), Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• ASTM F1153-92(1997) Standardtestmethode zur Charakterisierung von Metalloxid-Silizium (MOS)-Strukturen durch Kapazit?ts-Spannungsmessungen
• ASTM E1652-00 Standardspezifikation für Magnesiumoxid- und Aluminiumoxidpulver und zerbrechbare Isolatoren, die bei der Herstellung von metallummantelten Platin-Widerstandsthermometern, Thermoelementen aus unedlen Metallen und Thermoelementen aus Edelmetallen verwendet werden
• ASTM C1430-00 Standardtestmethode zur Bestimmung von Uran, Sauerstoff zu Uran (O/U) und Sauerstoff zu Metall (O/M) in gesinterten Urandioxid- und Gadolinia-Urandioxid-Pellets durch atmosph?rische ?quilibrierung
• ASTM C1430-07 Standardtestmethode zur Bestimmung von Uran, Sauerstoff zu Uran (O/U) und Sauerstoff zu Metall (O/M) in gesinterten Urandioxid- und Gadolinia-Urandioxid-Pellets durch atmosph?rische ?quilibrierung
• ASTM C1430-07(2011)e1 Standardtestmethode zur Bestimmung von Uran, Sauerstoff zu Uran (O/U) und Sauerstoff zu Metall (O/M) in gesinterten Urandioxid- und Gadolinia-Urandioxid-Pellets durch atmosph?rische ?quilibrierung
• ASTM E1652-21 Standardspezifikation für Magnesiumoxid- und Aluminiumoxidpulver und zerbrechbare Isolatoren, die bei der Herstellung von Thermoelementen aus unedlen Metallen, metallummantelten Platin-Widerstandsthermometern usw. verwendet werden
• ASTM E1652-03 Standardspezifikation für Magnesiumoxid- und Aluminiumoxidpulver und zerbrechbare Isolatoren, die bei der Herstellung von metallummantelten Platin-Widerstandsthermometern, Thermoelementen aus unedlen Metallen usw. verwendet werden
• ASTM E1652-15 Standardspezifikation für Magnesiumoxid- und Aluminiumoxidpulver und zerbrechbare Isolatoren, die bei der Herstellung von Thermoelementen aus unedlen Metallen, metallummantelten Platin-Widerstandsthermometern und Thermoelementen aus Edelmetallen verwendet werden
• ASTM E1652-14 Standardspezifikation für Magnesiumoxid- und Aluminiumoxidpulver und zerbrechbare Isolatoren, die bei der Herstellung von Thermoelementen aus unedlen Metallen, metallummantelten Platin-Widerstandsthermometern und Thermoelementen aus Edelmetallen verwendet werden
• ASTM E1652-14a Standardspezifikation für Magnesiumoxid- und Aluminiumoxidpulver und zerbrechbare Isolatoren, die bei der Herstellung von Thermoelementen aus unedlen Metallen, metallummantelten Platin-Widerstandsthermometern und Thermoelementen aus Edelmetallen verwendet werden
• ASTM C1817-15 Standardtestmethode zur Bestimmung des Verh?ltnisses von Sauerstoff zu Metall (O/M) in gesinterten Mischoxidpellets ((U, Pu)O2) mittels Gravimetrie

Defense Logistics Agency, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, CMOS, HEX-SPANNUNGSPEGELVERSCHALTER FüR TTL-ZU-CMOS- ODER CMOS-ZU-CMOS-BETRIEB, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA A-A-55564/3 B-2004 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR), METALLOXID, RADIALLEITUNG
• DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator MIT ENABLE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALLOXID), CHIP
• DLA A-A-55562 A-2001 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALLOXID), CHIP
• DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, MIKROPROZESSOR-KOMPATIBEL, DUAL 12-BIT-DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HCMOS, 32-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, BIN?RRATENVERVIELFACHER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-87685-1987 MIKROSCHALTUNGEN, 8-BIT-MIKROPROZESSOR-CPU, NMOS, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86809 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS, 16-BIT-MIKROCONTROLLER MIT 8 KB EPROM-SPEICHER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86824 REV A-1987 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, Z?HLER, SYNCHRONES DEKADE, 4-BIT, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip
• DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-MAGNITUDENKPARATOR, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-90969 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, QUAD, NIEDRIGER LEISTUNGSSPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETER ADVANCED CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, 10-BIT-BUS/MOS-SPEICHERTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA A-A-55564/2 B-2012 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR), METALLOXID, HOHE ENERGIE
• DLA SMD-5962-92155 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, REGISTRIERTER 32K X 8-BIT PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96736-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, HOCHGESCHWINDIGKEIT 8-BIT BIDIREKTIONALER CMOS/TTL-SCHNITTSTELLEN-PEGELKONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8-BIT-IDENTIT?TSKomparator, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA A-A-55562/2 A-2001 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALLOXID), CHIP, STIL 0805
• DLA SMD-5962-91501 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT INTEGRIERTER MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87665 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT, MIL-STD-1750 MIKROPROZESSOR MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87704 REV C-1993 MIKROKREISE, DIGITAL, CMOS, 9- UND 10-BIT-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL 12-BIT, DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-90704-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-90803 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA MIL-PRF-83530 C-2008 WIDERST?NDE, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALOXID), ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FüR
• DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 0603
• DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 0805
• DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 1206
• DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 1210
• DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 0402
• DLA A-A-55564/3 C-2012 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR), METALLOXID, RADIALLEITUNG
• DLA SMD-5962-96674 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETER CMOS, ANALOGER 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 MIKROSCHALTUNG, MIKROPROZESSOR, KOMPATIBLE ECHTZEITUHR, CMOS MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-85133-1986 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITALE HMOS-80-BIT-NUMERISCHE PROZESSOR-ERWEITERUNG AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
• DLA SMD-5962-91692 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 16-BIT, 20 KHZ, A/D-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-91740-1992 MIKROSCHALTUNG, CMOS, 16 BIT, DIGITAL-ANALOG-VERVIELFACHUNGSKONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-91762 REV B-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 4 X 8 BIT MULTILEVEL PIPELINE REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-85519 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT ADRESSIERBARER LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86854-1987 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, BIN?RZ?HLER, VIER BIT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-91647 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS DUAL 12-BIT/14-BIT SERIELLE D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA QPL-83530-7-2004 WIDERST?NDE, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALOXID), ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FüR
• DLA SMD-5962-96670 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES CMOS, BCD-RATENVERVIELFACHER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-91566 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS-EINZEL-CHIP-8-BIT-MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-91696 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16 x 8-BIT DUAL-PIPELINE-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87668 REV C-1991 MIKROSCHALTUNGEN, 32-BIT-MIKROPROZESSOR DIGITAL, CHMOS, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-86830 REV A-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, NMOS 8K x 8 EEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-94745-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 256K X 1-BIT SERIELLE KONFIGURATION PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 10-BIT-D-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 MIKROKREISE, LINEAR, CMOS, HOCHLEISTUNGS-DUAL-SCHALTKONDENSATORFILTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, NMOS 16K (16.384 x 1) BIT STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (SRAM), MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-87700 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, CMOS, 8-BIT-VERVIELFACHTER DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87702 REV D-2004 MIKROSCHALTUNG, CMOS, 12-BIT-VERVIELFACHTER DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87753-1988 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ANALOGER MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER, VIERPOLIG, DOUBLE-THROW, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86076 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-SYNCHRONER BIN?RZ?HLER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86081 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS, 4096 X 4 BIT STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 Mikroschaltkreis, CMOS, 12-Bit-gepufferte Multiplikation, Digital-Analog-Konverter, monolithisches Silizium
• DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, N-KANAL, MOS-8-BIT-MIKROCOMPUTER MIT 32-K-BIT-UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-BUSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-BUSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, NMOS, 65.536 X 1 BIT DYNAMISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87641-1988 MIKROSCHALTUNGEN, LINEAR, BIMOS 8-BIT, SERIELLER EINGANG, VERRIEGELTER TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87701 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, CMOS, DUAL, 8-BIT-VERVIELFACHTER DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-92122 REV B-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT-FLOW-THRU-FEHLERERKENNUNGS- UND -KORREKTUREINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86826 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT BIDIREKTIONALES UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT 3 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHER 3-EINGANG UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 16-BIT-D-TYP-TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL 2-BIT BISTABLE TRANSPARENT LATCH, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, 10-BIT-NICHTINVERTIERENDES REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-88624-1988 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, PROGRAMMIERBARER TEILER-DURCH-N-Z?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHT INVERTIERENDES 9-BIT-REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-92078 REV H-2001 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, DIGITAL, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER, CMOS, 512K X 8-BIT
• DLA SMD-5962-87754 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, ANALOGER MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER, DREIFACH EINPOLIG, DOPPELPOSITION, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16 x 16 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS 16 x 16 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA DSCC-DWG-09006-2009 KONDENSATOREN, FEST, METALLISIERTER KUNSTSTOFFDIELEKTRIK, GLEICHSTROM, HERMETISCH ABGESCHLOSSEN
• DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT DREI EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DOPPEL-4-EINGANG-NAND-GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95762-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLER CMOS, PUFFER/TAKTTREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, NMOS 16K (2048 X 8) BIT STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (SRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87593 REV C-2006 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, NMOS, 256
• DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 262, 144-BIT (32K x 8), UV-L?SCHBARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 MIKROKREISE, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, MULTIPLEXER MIT 8 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-90908 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS 8-BIT DAC MIT AUSGANGSVERST?RKER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-90831 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 8K X 8-BIT REGISTRIERTER DIAGNOSEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, ADVANCED CMOS, HEX-INVERTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH, 2 EING?NGE UND GATE, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-94709-1994 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, BANG-BANG-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT D-TYP EDGE-GETriggertes FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHE 3-EING?NGE NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, SRAM, 128K X 8-BIT, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88556 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, ANALOGER MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER, DOPPELPOLIG, VIERPOSITION, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-86077 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 9-BIT-GENERATOR/CHECKER MIT UNGERADE/GERADE PARIT?T, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-86705 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 4K X 4 STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88766 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, 12-BIT-CMOS-DIGITAL-ANALOG-KONVERTER MIT AUSGANGSVERST?RKER UND REFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREISTATUS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, SYNCHRON, VOREINSTELLBAR, BIN?R, Z?HLER, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES ADVANCED CMOS, 9-BIT-GENERATORPRüFUNG MIT UNGERADE/GERADE PARIT?T, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-97528-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACHES POSITIVE-NOR-GATE MIT 2 EING?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-97571-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACHES POSITIVE-NOR-GATE MIT 2 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTSCHRITTLICHES CMOS, LOOK-AHEAD-CARRY-GENERATOR FüR Z?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96803-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS-HEX-WECHSELRICHTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-94734-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16 MEG x 1 DRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-95715-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TAKTGENERATOR-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-91542 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-BIT-EPROM-MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-90720 REV A-1992 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, 8-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCHES MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86859 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 16K X 4 SRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-90963-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16/19 BIT FFT-CONTROLLER UND RECHENEINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 MIKROSCHALTUNG, NMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ECHTZEITUHR, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS-UNTERBRECHUNGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8x8 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 9-BIT-D-FLIP-FLOP, POSITIV-FLANKEN-GETRIEBEN, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 MIKROKREISE, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT-D-FLIP-FLOP, POSITIV-FLANKEN-TRIGGERUNG MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, QUAD-MULTIPLEXER MIT 2 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 14-STUFIGER BIN?R-RIPPLE-Z?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OKTAL-D-REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, VIERFACH, ZWEI EING?NGE UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT INVERTIERTEN DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ELEKTRISCH ?NDERBARES FLASH-PROGRAMMIERBARES LOGIKGER?T, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DOPPELTER 4-EINGANG NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACHER 3-EINGANG UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACHER 3-EINGANG NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, NAND-GATE MIT 8 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH, 2 EING?NGE ODER GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL 4-EING?NGE NOR GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT 3 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DOPPELTER 4-EINGANG UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 16-BIT-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, FORTGESCHRITTENES CMOS, VIERFACH-SR-LATCH, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 4-BIT-BIN?R-VOLLADDER MIT FAST CARRY, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96761-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 1-ZEILIGEN BIS 8-ZEILIGEN TAKTTREIBER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETE, ERWEITERTE CMOS-, TAKT- UND WARTEZUSTANDS-ERZEUGUNGSSCHALTUNG, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT WIDERST?NDEN DER 25-OMEGA-SERIE UND DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, VIERFACHES POSITIVES NAND-GATE MIT 2 EING?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, VIERFACH, 2-EING?NGE, POSITIV- UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 4-BIT VOREINSTELLBARER BIN?RZ?HLER, SYNCHRONES RESET, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, DIGITAL, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER, CMOS, 128K X 32-BIT
• DLA SMD-5962-94688 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITALES CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIKGER?T, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY 4000 GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROZESSOR-SCHNITTSTELLENSCHALTUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, LOOKAHEAD-CARRY-GENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 512K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-92071-1994 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 64K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-92140-1992 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 128K X 16-BIT UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 256K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 8-BIT, MIKROPROZESSOR-KOMPATIBEL, A/D-KONVERTER MIT TRACK/HOLD, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-90997-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CHMOS-BUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-92026-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, FIXPOINT-PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87744-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 1M (64K X 16) BIT, NMOS, UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-92103-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, FLOATING POINT PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-85528-1986 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUS-ARBITER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8x8 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS-ARINC-BUS-SCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, PR?ZISIONSTIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT TAKTFREIGABE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HCMOS-MULTIFUNKTIONSPERIPHERIE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-95654 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, ADVANCED CMOS, QUAD 2-EINGANG EXKLUSIV ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, MULTIPLEXER MIT üBERSPANNUNGSSCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT-DIAGNOSEREGISTER MIT DREISTATUS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VOREINSTELLBARER SYNCHRONER 4-BIT-BIN?R-AUF-/ABZ?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-91697 REV D-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CHMOS-EINZEL-CHIP, 8-BIT-MIKROCONTROLLER MIT 32.000 Byte EPROM-PROGRAMMSPEICHER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DOPPEL-4-EINGANG-NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES ADVANCED CMOS, QUAD 2-EINGANG UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, ADVANCED CMOS, QUAD 2-EINGANG EXKLUSIV ODER GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-94733-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 12000 GATE-KONFIGURIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-95717-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96895-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BICMOS, SCHNELLER OPTISCHER/KUPFER-SENDERSCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96896-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BICMOS, HOCHGESCHWINDIGKEITS-OPTISCHE/KUPFER-EMPF?NGERSCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, MIKROPOWER PHASE LOCKED LOOP, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96683-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES CMOS, 4-BIT-ARITHMETISCHE LOGIKEINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, LVDS-QUAD-CMOS-DIFFERENTIAL-LEITUNGSEMPF?NGER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-90899 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 128K X 8-BIT FLASH EEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-91576 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 8-BIT-CHMOS-MIKROCONTROLLER MIT 8K-BYTES-EPROM-SPEICHER, MONLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 10-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT THREESTATE-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHER HOCHGESCHWINDIGKEIT-CMOS-OKTAL-TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT 3-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 1-VON-8-DECODER, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS-VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBELEN EING?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DOPPEL-NAND-GATE MIT 4 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS-VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBELEN EING?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 18-BIT-UNIVERSAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL DECADE RIPPLE COUNTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, QUAD 2-EINGANG EXKLUSIVES NOR-GATE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-BIN?R-VOLLADDER MIT FAST CARRY, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95610 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITALES CMOS, PROGRAMMIERBARE LOGIKZELLENANORDNUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-95611 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITALES CMOS, PROGRAMMIERBARE LOGIKZELLENANORDNUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-95612 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITALES CMOS, PROGRAMMIERBARE LOGIKZELLENANORDNUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 4-BIT VOREINSTELLBARER BIN?RZ?HLER, ASYNCHRONER RESET, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITALES CMOS, PROGRAMMIERBARE LOGIKZELLENANORDNUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, UNIVERSAL INTERRUPT CONTROLLER, N-KANAL MOS, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 MIKROSCHALTUNG, HOCHLEISTUNGS-CMOS-BUSPUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-92106-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ADRESSPROZESSOR 2, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS, NUMERISCHER DATENPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88599-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, ZEITSTEUEREINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, VIERFACH-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-90901-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, OKTAL REGISTRIERTER TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testger?t mit 18-Bit-Bus-Transceiver, dreistufigen Ausg?ngen, TTL-kompatiblen Eing?ngen, monolithisches Silizium
• DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS-REGISTRIERTES 32K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACH, 3 EING?NGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96656 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, 4-BIT-D-TYP-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 MIKROSCHALTUNG, CMOS, MIKROPROZESSOR, OPTIMIERT FüR DIGITALE SIGNALVERARBEITUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL-SPST-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SINGLE-POWER-MOSFET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, ADVANCED CMOS, QUAD 2-EINGANG NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, ADVANCED CMOS, DREIFACH, 3 EING?NGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES CMOS, 4-BIT-VOLLADDER MIT PARALLELER üBERTRAGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, QUAD UND/ODER SELECT GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, 8-EING?NGE NOR/OR-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES CMOS, HEX-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-96786-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, CMOS/TTL-KONVERTER, 8-BIT, BIDIREKTIONAL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-88674-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8-BIT, NICHT INVERTIEREND, BUS-SCHNITTSTELLENREGISTER, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
• DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 MIKROKREIS, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, PHASE-LOCKED-LOOP MIT SPANNUNGSGESTEUERTEM OSZILLATOR, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, QUAD-NAND-GATE MIT 2 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACHES NAND-GATE MIT 2 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-BIN?R-RIPPLE-Z?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 10-BIS-4-ZEILEN-PRIORIT?TS-ENCODER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DOPPELTER VIERSTUFIGER BIN?RZ?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUALER MULTIPLEXER MIT 4 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, VIERFACH MULTIPLEXER MIT 2 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-BIN?R-SYNCHRONZ?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
• DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-TRANSCEIVER/REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• GJB 3794-1999 Spezifikation für silberbasierte Metalloxidlegierungen für elektrische Kontakte
• GJB 3794A-2018 Spezifikation für verarbeitete Materialien für den elektrischen Kontakt mit silberbasierten Metalloxiden

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• GB/T 34869-2017 Metalloxid-Varistor zum Schutz von Reihenkompensations-Kondensatorb?nken
• GB/T 32996-2016 Chemische Oberfl?chenanalyse – Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie

International Organization for Standardization (ISO), Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• ISO/TS 5094:2023 Nanotechnologien – Bewertung der Peroxidase-?hnlichen Aktivit?t von Metall- und Metalloxid-Nanopartikeln
• ISO/TR 20489:2018 Nanotechnologien – Probenvorbereitung zur Charakterisierung von Metall- und Metalloxid-Nanoobjekten in Wasserproben
• ISO 1463:1973 Titel fehlt – Altes Papierdokument
• ISO 1463:1982 Metall- und Oxidbeschichtungen; Messung der Schichtdicke; Mikroskopische Methode
• ISO/TS 25138:2019 Chemische Oberfl?chenanalyse – Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie
• ISO/TS 18827:2017 Nanotechnologien – Elektronenspinresonanz (ESR) als Methode zur Messung reaktiver Sauerstoffspezies (ROS), die von Metalloxid-Nanomaterialien erzeugt werden
• ISO 1463:2003 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode
• ISO/TS 25138:2010 Chemische Oberfl?chenanalyse – Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie
• ISO/DIS 21068-3 Chemische Analyse von Rohstoffen und feuerfesten Produkten, die Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Siliciumoxynitrid und Sialon enthalten – Teil 3: Bestimmung von Stickstoff, Sauerstoff sowie metallischen und oxidischen Bestandteilen

British Standards Institution (BSI), Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• PD ISO/TS 5094:2023 Nanotechnologien. Bewertung der Peroxidase-?hnlichen Aktivit?t von Metall- und Metalloxid-Nanopartikeln
• BS EN 61643-331:2003 Niederspannungs-überspannungsschutzger?te. Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
• PD ISO/TR 20489:2018 Nanotechnologien. Probenvorbereitung zur Charakterisierung von Metall- und Metalloxid-Nanoobjekten in Wasserproben
• BS EN 60099-4:2004 überspannungsableiter – Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• BS EN 60099-4:2014 überspannungsableiter. Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• BS EN 60099-4:2004+A2:2009 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• PD ISO/TS 25138:2019 Chemische Oberfl?chenanalyse. Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie
• BS EN ISO 1463:2005 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode
• BS EN ISO 1463:2021 Metall- und Oxidbeschichtungen. Messung der Schichtdicke. Mikroskopische Methode
• PD ISO/TS 18827:2017 Nanotechnologien. Elektronenspinresonanz (ESR) als Methode zur Messung reaktiver Sauerstoffspezies (ROS), die von Metalloxid-Nanomaterialien erzeugt werden
• BS IEC 60747-8-4:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente – Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschaltanwendungen
• BS EN IEC 61643-331:2020 Komponenten für den Niederspannungs-überspannungsschutz – Leistungsanforderungen und Prüfmethoden für Metalloxid-Varistoren (MOV)

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• IEEE Std C62.11-2020 Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise
• IEEE Std C62.11-1999 Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (1 kV)
• IEEE Std C62.11-1993 Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise
• IEEE Std C62.22-2009 IEEE-Leitfaden für die Anwendung von Metalloxid-überspannungsableitern für Wechselstromsysteme
• ANSI/IEEE Std C62.11-1987 IEEE-Standard für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise
• IEEE Std C62.11-1987 IEEE-Standard für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise
• IEEE Std C62.11-2005 Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (1 kV)
• IEEE Std C62.22-1991 Leitfaden für den Einsatz von Metalloxid-überspannungsableitern für Wechselstromsysteme
• IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Std C62.11-2012) IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D8.0, December 2019 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
• IEEE Std C62.22-1997 IEEE-Leitfaden für die Anwendung von Metalloxid-überspannungsableitern für Wechselstromsysteme
• ANSI/IEEE Std 641-1987 IEEE-Standarddefinitionen und Charakterisierung von Metallnitrid-Oxid-Halbleiter-Arrays
• IEEE PC62.11/D6.0 September 2019 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D2.0, January 2018 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D12A, August 2012 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D11, February 2012 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D7.0, November 2019 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
• IEEE Std C62.11-2012 IEEE-Standard für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (1 kV)
• IEEE Std 581-1978 IEEE-Standarddefinitionen, Symbole und Charakterisierung von Metallnitridoxid-Feldeffekttransistoren
• IEEE Std C62.33-2016 IEEE-Standard für Testmethoden und Leistungswerte für Metalloxid-Varistor-überspannungsschutzkomponenten

YU-JUS, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• JUS H.G8.053-1983 Reagenzien. Wasserstoffperoxid. Bestimmung des Schwermetallgehalts (als Pb). Kolorimetrische Methode
• JUS C.A6.031-1990 Metall- und Oxidbeschichtungen. Messung der Schichtdicke. Hikroskopische Methode
• JUS C.T7.228-1984 Anodische Oxidation von Aluminium- und Aluminiumallolen. Messung der Dicke von Oxidschichten. Wirbelstromverfahren

Professional Standard - Electron, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• SJ/T 11824-2022 Testmethode für ?quivalente Kapazit?t und Spannungs?nderungsrate für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET).

工業和信息化部, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• YD/T 2972-2015 Metalloxid-Varistor zum Kommunikationsschutz

Professional Standard - Energy, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• NB/T 10452-2020 Epoxid-Soja?l zur Isolierung von Kondensatoren mit flüssiger metallisierter Folie
• NB/T 42059-2015 Trennschalter für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromsysteme
• DL/T 815-2021 Metalloxid-überspannungsableiter mit Verbundmantel für Wechselstromübertragungsleitungen

國家能源局, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• NB/T 10452-2026 Epoxid-Soja?l zur Isolierung von Kondensatoren mit flüssiger metallisierter Folie
• NB/T 42152-2018 Allgemeine technische Anforderungen an nichtlineare Metalloxidwiderst?nde

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• IEEE C62.11-2012 Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (>1 kV)
• IEEE C62.11-1993 Norm für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromstromkreise
• IEEE C62.11-1987 STANDARD FüR METALLOXID-üBERSPANNUNGSABLEITER FüR WECHSELSTROMKREISE
• IEEE C62.11-1999 Norm für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
• IEEE C62.11-2005 Norm für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (>1 kV)
• IEEE 641-1987 STANDARDDEFINITIONEN UND CHARAKTERISIERUNG VON METALLNITRIDOXID-HALBLEITER-ARRAYS
• IEEE PC62.11/D2.0-2019 Normentwurf für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (>1 kV)

American National Standards Institute （ANSI), Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• ANSI/IEEE C62.11:2005 Norm für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
• ANSI/IEEE C62.22:2009 Leitfaden für die Anwendung von Metalloxid-überspannungsableitern für Wechselstromsysteme

工業和信息化部/國家能源局, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• JB/T 8444-2014 Technische Bedingungen für pulvermetallurgische Silbermetalloxid-Elektrokontakte

Group Standards of the People's Republic of China, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• T/CAB 0156-2022 Metalloxid-MEMS-Gassensor für intelligente Haushaltsger?te
• T/CECA 27-2017 Allgemeine Spezifikation für Metalloxid-Varistoren mit Zuverl?ssigkeitsspezifikationen
• T/DCB 007-2023 Kathodenmaterialien für Natriumionenbatterien Teil 4: übergangsmetalloxide
• T/CEC 221-2019 Allgemeine technische Standards für Metalloxidwiderst?nde mit hohem Gradienten und niedriger Restspannung
• T/GDC 143-2022 Flüchtige Emissionen – Methode zur Bestimmung flüchtiger organischer Verbindungen mit Metalloxiden
• T/QGCML 911-2023 Lückenloser Metalloxid-überspannungsableiter für 10-kV-AC-übertragungsleitungen mit Verbundmantel

Military Standards (MIL-STD), Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• DOD A-A-51838-1987 SORTIMENT VON STREIFEN, SCHLEIFMITTEL, DENTAL (ALUMINIUMOXID, METALLUNTERSTüTZT)

ES-UNE, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• UNE-EN 24501:1993 HARTMETALLE. BESTIMMUNG VON TITAN. PHOTOMETRISCHE PEROXIDVERFAHREN. (Von AENOR im Januar 1994 gebilligt.)
• UNE-EN ISO 1463:2021 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode (ISO 1463:2021)
• UNE-EN 60099-9:2014 überspannungsableiter – Teil 9: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für HGü-Konverterstationen (Befürwortet von AENOR im Januar 2015.)
• UNE-EN 60099-4:2016 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• UNE-EN ISO 21068-3:2008 Chemische Analyse von siliziumkarbidhaltigen Rohstoffen und feuerfesten Produkten – Teil 3: Bestimmung von Stickstoff, Sauerstoff sowie metallischen und oxidischen Bestandteilen (ISO 21068-3:2008) (Genehmigt von AENOR im Oktober 2008.)

RU-GOST R, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• GOST 23862.1-1979 Seltenerdmetalle und ihre Oxide. Spektrale Methode zur Bestimmung von Verunreinigungen in Oxiden seltener Erdelemente
• GOST 23862.2-1979 Seltenerdmetalle und ihre Oxide. Direkte spektrale Methode zur Bestimmung von Verunreinigungen in Oxiden seltener Erdelemente
• GOST 23862.7-1979 Seltenerdmetalle und ihre Oxide. Chemisch-spektrale Methoden zur Bestimmung von Verunreinigungen in Oxiden seltener Erdelemente
• GOST 23862.0-1979 Seltenerdmetalle und ihre Oxide. Allgemeine Anforderungen an Analysemethoden
• GOST 26318.8-1984 Nichtmetallische Erzmaterialien. Radiometrische Methode zur Bestimmung des Kaliumoxid-Massenanteils
• GOST 23862.6-1979 Seltenerdmetalle und ihre Oxide. Methoden zur Bestimmung von Natrium, Kalium und Calcium
• GOST 23862.11-1979 Seltenerdmetalle und ihre Oxide. Chemisch-spektrale Methode zur Bestimmung von Verunreinigungen von Vanadium, Eisen, Kobalt, Mangan, Kupfer, Nickel

U.S. Military Regulations and Norms, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
• ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
• ARMY MIL-M-63530-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
• ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCO/DLA MULTICHIP CMOS
• ARMY MIL-M-48646-1986 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCO/DLA MULTICHIP CMOS
• ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
• ARMY MIL-M-63320 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
• ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGüLTIGE LOGIK)
• ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 MILIT?RSPEZIFIKATION MIKROKREIS, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
• ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
• ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
• ARMY MIL-M-63324 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
• ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
• ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
• ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
• ARMY MIL-I-48632-1986 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
• ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
• ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
• ARMY MIL-I-48634-1986 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
• ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGüLTIGE LOGIK)
• ARMY MIL-M-63321 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGüLTIGE LOGIK)

Association Francaise de Normalisation, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• NF EN 24501:1994 Hartmetalle - Bestimmung von Titan - Peroxid-photometrische Methode.
• NF A91-110:2004 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode.
• NF A91-110*NF EN ISO 1463:2021 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode
• NF A91-110:1995 Metall- und Oxidbeschichtungen. Messung der Schichtdicke. Mikroskopische Methode.
• NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 überspannungsableiter – Teil 9: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für HGü-Konverterstationen
• NF C65-101/A1:2006 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme.
• NF S91-141:1997 Biologische Abbaubarkeit von Metallverbindungen, die in der Zahnmedizin verwendet werden – Normalisierung elektrochemischer Prozesse
• NF C65-101/A2:2009 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme.
• NF C65-100-4*NF EN 60099-4:2015 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• NF C65-101:2005 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme.
• NF S91-141:1990 BIOLOGISCHE ABBAUBARKEIT VON DENTALLEGIERUNGEN. STANDARDISIERUNG ELEKTROCHEMISCHER TESTS.

ECIA - Electronic Components Industry Association, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• 377-1970 Metallisierte dielektrische Kondensatoren in metallischen und nichtmetallischen Geh?usen für Gleichstromanwendungen (ANSI C83.62-71)
• 377-1-1972 ?Teilelisten-Erg?nzung zu RS-377@ ?Metallisierte dielektrische Kondensatoren in metallischen und nichtmetallischen Geh?usen für Gleichstromanwendungen““
• 495-A-1990 Dielektrische Filmkondensatoren mit metallisierten Papierelektroden für Wechselstromanwendungen
• 495-A-1989 Dielektrische Filmkondensatoren mit metallisierten Papierelektroden für Wechselstromanwendungen

Professional Standard - Nuclear Industry, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• EJ/T 1212.1-2008 Testmethoden zur Analyse von gesinterten Gadoliniumoxid-Urandioxid-Pellets. Teil 1: Bestimmung von Sauerstoff zu Metall (O/M) in gesinterten Gadoliniumoxid-Urandioxid-Pellets durch Atmosph?rendruck

Professional Standard - Electricity, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• DL/T 804-2002 Anwendungsleitfaden für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromsysteme
• DL/T 804-2014 Anwendungsleitfaden für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromsysteme
• DL/T 815-2012 Metalloxid-überspannungsableiter mit Polymergeh?use für Wechselstromübertragungsleitungen
• DL/T 815-2002 Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromübertragungsleitungen
• DL/T 1294-2013 Anwendungsleitfaden für Metalloxid-überspannungsableiter-Trennschalter für Wechselstromnetze
• DL/T 1432.3-2016 Prüfspezifikation für Online-überwachungsger?te für Transformationsger?te. Teil 3: Online-Isolationsüberwachungsger?te für kapazitive Ger?te und Metalloxid-überspannungsableiter
• DL/T 1498.3-2016 Technische Spezifikation für ein Online-überwachungsger?t für Transformationsger?te. Teil 3: Online-Isolationsüberwachungsger?t für kapazitive Ger?te und Metalloxid-überspannungsableiter

International Telecommunication Union (ITU), Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• ITU-T K.77-2009 Eigenschaften von Metalloxid-Varistoren zum Schutz von Telekommunikationsanlagen Studiengruppe 5
• ITU-T K.77 CORR 1-2011 Eigenschaften von Metalloxid-Varistoren zum Schutz von Telekommunikationsanlagen Berichtigung 1

BE-NBN, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• NBN-EN 24501-1994 Hartmetalle. Bestimmung von Titan. Photometrische Peroxidmethode (ISO 4501:1978)

Danish Standards Foundation, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• DS/EN ISO 1463:2004 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode
• DS/ISO 1463:2021 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode
• DS/ISO 1463:1983 Metall- und Oxidbeschichtungen. Messung der Schichtdicke. Mikroskopische Methode
• DS/EN 60099-4/A2:2009 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• DS/EN 60099-4/A1:2007 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• DS/EN 60099-4:2005 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• DS/EN ISO 21068-3:2008 Chemische Analyse siliziumkarbidhaltiger Rohstoffe und feuerfester Produkte - Teil 3: Bestimmung von Stickstoff, Sauerstoff sowie metallischen und oxidischen Bestandteilen
• DS/EN 61643-331:2007 Komponenten für Niederspannungs-überspannungsschutzger?te - Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)

Professional Standard - Hydroelectric Power, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• SD 176-1986 Technische Spezifikationen für Metalloxid-Ableiter von 3-500-kV-Wechselstromnetzen
• SD 177-1986 Richtlinien für den Einsatz von Metalloxid-Ableitern in 3-500-kV-Wechselstromnetzen

Professional Standard - Railway, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• TB/T 1844-1987 Spezifikationen für lückenlose Metalloxid-überspannungsableiter für elektrifizierte Eisenbahnen mit 25 kV Wechselstrom

European Committee for Standardization (CEN), Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• EN ISO 1463:1994 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode (ISO 1463: 1982)
• EN ISO 1463:2021 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode (ISO 1463:2021)
• EN ISO 1463:2004 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode (ISO 1463:2003)

German Institute for Standardization, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• DIN EN ISO 1463:2004 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopisches Verfahren (ISO 1463:2003); Deutsche Fassung EN ISO 1463:2004
• DIN EN 60099-4:2010 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme (IEC 60099-4:2004, modifiziert + A1:2006 + A2:2009); Deutsche Fassung EN 60099-4:2004 + A1:2006 + A2: 2009
• DIN EN 61643-331:2004 Komponenten für Niederspannungs-überspannungsschutzger?te - Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV) (IEC 61643-331:2003); Deutsche Fassung EN 61643-331:2003
• DIN 50938:2018 Schwarzoxidbeschichtungen auf Eisenmetallbauteilen – Anforderungen und Prüfverfahren
• DIN 50938:2018-01 Schwarzoxidbeschichtungen auf Eisenmetallbauteilen – Anforderungen und Prüfverfahren

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• JIS C 8708:1997 Versiegelte wiederaufladbare Nickel-Metallhydrid-Einzelzellen
• JIS C 8708:2004 Versiegelte wiederaufladbare Nickel-Metallhydrid-Einzelzellen

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• CNS 8104-1981 Methode zur Messung der linearen MOSFET-Schwellenspannung
• CNS 8106-1981 Methode zur Messung der MOSFET-S?ttigungsschwellenspannung

PH-BPS, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• PNS ISO/TS 18827:2021 Nanotechnologien – Elektronenspinresonanz (ESR) als Methode zur Messung reaktiver Sauerstoffspezies (ROS), die von Metalloxid-Nanomaterialien erzeugt werden

ZA-SANS, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• SANS 60099-4:2007 überspannungsableiter Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• NRS 039-2-1999 überspannungsableiter für den Einsatz in Verteilungssystemen Teil 2: Verteilungsklasse, lückenlose Metalloxid-überspannungsableiter
• NRS 039-1-1999 überspannungsableiter für den Einsatz in Verteilungssystemen Teil 1: Leitfaden für die Anwendung von lückenlosen Metalloxid-überspannungsableitern

International Electrotechnical Commission (IEC), Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• IEC 60099-4:2004+AMD1:2006+AMD2:2009 CSV überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• IEC 60099-4:2004+AMD1:2006 CSV überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• IEC 60099-4:1998 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• IEC 60099-4:2009 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• IEC 60099-4:2004 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• IEC 60099-4:2014 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• IEC 61643-331:2003 Komponenten für Niederspannungs-überspannungsschutzger?te - Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)

KR-KS, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• KS C IEC 60099-4-2021 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• KS C IEC 60099-4-2019 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• KS C IEC 61643-331-A-2014 Komponente für Niederspannungs-überspannungsschutzger?te – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
• KS C ISO TS 18827-2021 Nanotechnologien – Elektronenspinresonanz (ESR) als Methode zur Messung reaktiver Sauerstoffspezies (ROS), die von Metalloxid-Nanomaterialien erzeugt werden

IT-UNI, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• UNI 6404-1969 P Chemische und elektrochemische Oberfl?chenbehandlung. Messung der lokalen Dicke von Metallausscheidungen und Oxidschichten, ersetzt UNI 4237. Mikroskopische Methode

Standard Association of Australia （SAA）, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• AS 1307.2:1996 überspannungsableiter – Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
• AS 1307.2:1996(R2015) überspannungsableiter, lückenloser Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromsysteme

US-FCR, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• FCR DOE-STD-3013-96-1996 KRITERIEN FüR DIE VORBEREITUNG UND VERPACKUNG VON PLUTONIUMMETALLEN UND -OXIDEN FüR DIE LANGZEITLAGERUNG

PL-PKN, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• PN-EN ISO 1463-2021-10 E Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode (ISO 1463:2021)

未注明發布機構, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• DIN EN ISO 1463 E:2020-06 Microscopic method for measuring coating thickness of metallic and oxide coatings (draft)
• DIN 50938 E:2016-03 Schwarzoxidbeschichtungen auf Eisenmetallbauteilen – Anforderungen und Prüfverfahren
• DIN 50938 E:2017-06 Schwarzoxidbeschichtungen auf Eisenmetallbauteilen – Anforderungen und Prüfverfahren

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• DB36/T 688-2012 Chemische Analyse von Yttrium-reichen Oxiden und ihren Metallen. Bestimmung der Zusammensetzung von fünfzehn Seltenerdelement-Oxiden. Induktiv gekoppelte Plasma-Emissionsspektrometrie

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• NEMA C78.387-1987 ELEKTRISCHE LAMPEN – METALLHALOGENIDLAMPEN – METHODEN ZUR MERKMALE

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• EN 131200:2002 Abschnittsspezifikation: Festkondensatoren mit metallisierten Elektroden und Polypropylen-Dielektrikum
• EN 60099-4:1993 überspannungsableiter Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• EN 60099-4:2014 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme

AENOR, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• UNE-EN 61643-331:2004 Komponenten für Niederspannungs-überspannungsschutzger?te – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV).
• UNE-EN ISO 1463:2005 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode (ISO 1463:2003)

NL-NEN, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• NEN 10099-4-1993 überspannungsableiter. Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme (IEC 99-4:1991)

Lithuanian Standards Office , Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• LST EN ISO 1463:2004 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode (ISO 1463:2003)
• LST EN ISO 1463:2021 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode (ISO 1463:2021)

AT-ON, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• OENORM EN ISO 1463:2021 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode (ISO 1463:2021)

CH-SNV, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• SN EN ISO 1463:2021 Metallische und oxidische Beschichtungen – Messung der Schichtdicke – Mikroskopische Methode (ISO 1463:2021)

CZ-CSN, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• CSN 70 0641 Cast.3-1976 Chemische Analyse von Glas. Bestimmung von Alkalimetalloxiden. Photometrische Flammenmethode (unter Verwendung synthetischer L?sungen)

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden

• JEDEC JEP184-2021 Richtlinie zur Bewertung der Vorspannungstemperaturinstabilit?t von Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiterbauelementen für die Leistungselektronikumwandlung

Sonstige:   Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis, Pseudokapazitive Eigenschaften von Metalloxiden, Spezifische Kapazit?t von Metalloxiden, Pseudokapazit?t von Metalloxiden.