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Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

Für die Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis gibt es insgesamt 93 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis die folgenden Kategorien: Elektronische Ger?te, übertragungs- und Verteilungsnetze, Elektrizit?t, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Industrielles Automatisierungssystem, Diskrete Halbleiterger?te, Drahtlose Kommunikation, Glasfaserkommunikation, Ventil.


IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

  • IEEE C62.11-2012 Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (>1 kV)
  • IEEE C62.11-2005 Norm für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (>1 kV)
  • IEEE PC62.11/D2.0-2019 Normentwurf für Metalloxid-überspannungsableiter für Wechselstromkreise (>1 kV)

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

  • KS C 4808-2011(2016) Metalloxid-überspannungsableiter mit Polymergeh?use ohne Lücken für die Verteilungsleitung

Danish Standards Foundation, Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

  • DS/EN 60099-4/A2:2009 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
  • DS/EN 60099-4/A1:2007 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
  • DS/EN 60099-4:2005 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
  • DS/EN 60099-8:2011 überspannungsableiter – Teil 8: Metalloxid-überspannungsableiter mit externer Serienstrecke (EGLA) für Freileitungen von Wechselstromsystemen über 1 kV

Association Francaise de Normalisation, Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

  • NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 überspannungsableiter – Teil 9: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für HGü-Konverterstationen
  • NF C65-100-8*NF EN IEC 60099-8:2018 überspannungsableiter – Teil 8: Metalloxid-überspannungsableiter mit externer Serienstrecke (EGLA) für Freileitungs- und Verteilungsleitungen von Wechselstromsystemen über 1 kV

Lithuanian Standards Office , Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

  • LST EN 60099-4-2004/A1-2006 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme (IEC 60099-4:2004/A1:2006)
  • LST EN 60099-4-2004/A2-2009 überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme (IEC 60099-4:2004/A2:2009)
  • LST EN 60099-4-2004 überspannungsableiter. Teil 4: Metalloxid-überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme (IEC 60099-4:2004, modifiziert)
  • LST EN 60099-8-2011 überspannungsableiter – Teil 8: Metalloxid-überspannungsableiter mit externer Serienstrecke (EGLA) für Freileitungs- und Verteilungsleitungen von Wechselstromsystemen über 1 kV (IEC 60099-8:2011)

British Standards Institution (BSI), Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

  • BS EN 60099-8:2011 überspannungsableiter. Metalloxid-überspannungsableiter mit externer Serienstrecke (EGLA) für Freileitungs- und Verteilungsleitungen von Wechselstromsystemen über 1 kV
  • BS EN IEC 60099-8:2018 überspannungsableiter. Metalloxid-überspannungsableiter mit externer Serienstrecke (EGLA) für Freileitungs- und Verteilungsleitungen von Wechselstromsystemen über 1 kV

Defense Logistics Agency, Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

  • DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTSCHRITTLICHES CMOS, LOOK-AHEAD-CARRY-GENERATOR FüR Z?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT WIDERST?NDEN DER 25-OMEGA-SERIE UND DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT INVERTIERTEN DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96761-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 1-ZEILIGEN BIS 8-ZEILIGEN TAKTTREIBER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETE, ERWEITERTE CMOS-, TAKT- UND WARTEZUSTANDS-ERZEUGUNGSSCHALTUNG, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 9-BIT-GENERATOR/CHECKER MIT UNGERADE/GERADE PARIT?T, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-Volt-OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, NICHT INVERTIERENDER HEX-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, NICHT INVERTIERENDER HEX-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-94673 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT WIDERSTAND DER OMEGA-SERIE 25 UND NICHTINVERTIERENDE DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-94697 REV C-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT WIDERSTAND DER 25-OHM-SERIE UND INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 3-BIS-8-ZEILEN-DECODER MIT TTL-KOMPATIBELEN EING?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT SERIAL-IN/PARALLEL-OUT-SHIFT-REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 4-BIT-BIN?R-SYNCHRONZ?HLER AUF/AB, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 8-BIT-BIS-9-BIT-PARIT?TSBUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, PUFFER/TAKTTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96547 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DOPPELTER 2-ZEILEN-BIS 4-ZEILEN-DECODER/DEMULTIPLEXER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96747-1997 MIKROKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, SCAN-Pfad-Wahlschalter mit bidirektionalem 8-Bit-Datenbus, TTL-kompatiblen Eing?ngen, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-D-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT SERIELLES EIN-/PARALLELAUS-VERSCHIEBUNGSREGISTER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, TTL-KOMPATIBEL, OCTAL D-TYP EDGE-GETriggertes FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, FORTGESCHRITTENES CMOS, VIERFACHER NAND-SCHMITT-TRIGGER MIT 2 EING?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, SYNCHRONER, VOREINSTELLBARER 4-BIT-BIN?RZ?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTETES ADVANCED CMOS, DUAL-JK-FLIP-FLOP MIT SET UND RESET, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, BCD-DEKADEN-SYNCHRONZ?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, SYNCHRONER, VOREINSTELLBARER 4-BIT-BIN?RZ?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-91724-1993 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, BICMOS-OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS UND -REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testger?t mit 18-Bit-Universalbus-Transceiver, dreistufigen Ausg?ngen, TTL-kompatiblen Eing?ngen, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-BUSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-BUSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VOREINSTELLBARER SYNCHRONER 4-BIT-BIN?R-AUF-/ABZ?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL-JK-FLIP-FLOP MIT SET UND RESET, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTET, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, SYNCHRONER BCD-DEKADEN-AUF-/ABZ?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, SYNCHRONER 4-BIT-AUF/AB-BCD-DEKADENZ?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEH?RTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, SYNCHRONER 4-BIT AUF/AB-BIN?RZ?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-94698-1996 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testger?t mit 18-Bit-Transceiver und Register, dreistufigen Ausg?ngen und TTL-kompatiblen Eing?ngen, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 9-BIT-D-FLIP-FLOP, POSITIV-FLANKEN-GETRIEBEN, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 MIKROKREISE, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT-D-FLIP-FLOP, POSITIV-FLANKEN-TRIGGERUNG MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 16-BIT-D-TYP-TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, DUAL 1-VON-4-DATENSELEKTOREN/MULTIPLEXER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN UND TTL-KOMPATIBELEN EING?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-90938 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, DUAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT VOREINSTELLUNG UND L?SCHEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OCTAL-D-FLIP-FLOP MIT TAKTFREIGABE, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHTINVERTIERENDER LEITUNGSTREIBER/PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT D-TYP EDGE-GETriggertes FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 MIKROKREIS, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL JK FLIP-FLOP MIT SET UND RESET, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, INVERTIERENDER OKTAL-LEITUNGSTREIBER/PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEH?RTETES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-POSITIVES, KANTENGESTEUERTES D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT-DIAGNOSEREGISTER MIT DREISTATUS-AUSG?NGEN, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VOREINSTELLBARER SYNCHRONER 4-BIT-BIN?R-AUF-/ABZ?HLER, TTL-KOMPATIBLE EING?NGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testger?t mit 18-Bit-Bus-Transceiver, dreistufigen Ausg?ngen, TTL-kompatiblen Eing?ngen, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-86853 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT VOREINSTELLUNG UND L?SCHEN MIT LS-TTL-KOMPATIBELEN EING?NGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OKTALES NICHTINVERTIERENDES D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSG?NGEN UND TTL-KOMPATIBELEN EING?NGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

  • QC 300401/ZA 0003 IS 1.1-1989 Detailspezifikation: Miniatur-Epoxidharz-getr?nkte Kondensatoren zur Verwendung in elektronischen Ger?ten. Feste metallisierte Polyethylen-Terephthalat-Film-Dielektrikum-Gleichstromkondensatoren, Bewertungsstufe E

International Electrotechnical Commission (IEC), Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

  • IEC 60099-8:2011 überspannungsableiter – Teil 8: Metalloxid-überspannungsableiter mit externer Serienstrecke (EGLA) für Freileitungen von Wechselstromsystemen über 1 kV

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

  • EN IEC 60099-8:2018 überspannungsableiter – Teil 8: Metalloxid-überspannungsableiter mit externer Serienstrecke (EGLA) für Freileitungen von Wechselstromsystemen über 1 kV
  • EN 60099-8:2011 überspannungsableiter – Teil 8: Metalloxid-überspannungsableiter mit externer Serienstrecke (EGLA) für Freileitungen von Wechselstromsystemen über 1 kV

ES-UNE, Pseudokondensatoren auf Metalloxidbasis

  • UNE-EN IEC 60099-8:2018 überspannungsableiter – Teil 8: Metalloxid-überspannungsableiter mit externer Serienstrecke (EGLA) für Freileitungs- und Verteilungsleitungen von Wechselstromsystemen über 1 kV (Befürwortet von der Asociación Espa?ola de Normalización im M?rz 2018.)


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