導(dǎo)電性測(cè)量是一種有效的方法, 可用來描述某些特殊應(yīng)用中材料的特性與行為，從能量存儲(chǔ)和能量轉(zhuǎn)換元件，到分子元件電路以及納米級(jí)半導(dǎo)體元件。導(dǎo)電探針原子力顯微鏡（CP-AFM）是其中一種相當(dāng)有用的技術(shù)，它可以提供精確的納米級(jí)測(cè)量和先進(jìn)材料如CNTs膜的導(dǎo)電性的相對(duì)分布圖。在過去的十年中，幾種檢測(cè)被引入來研究這些材料，然而，絕大多數(shù)只能測(cè)量有限的電性范圍。在這項(xiàng)研究中，配備CP-AFM的Park NX20被用來研究具有廣泛導(dǎo)電性的3種不同的材料。實(shí)驗(yàn)所得數(shù)據(jù)清晰地證明了，這項(xiàng)技術(shù)借由整合對(duì)數(shù)型電流放大器于系統(tǒng)中，可利用來測(cè)量不同導(dǎo)電材料的典型表征，以及提供薄膜材料的導(dǎo)電率空間解析圖。