Park NX-Mask

基于AFM的 EUV 掩膜修復及其他性能

Park NX-Mask是一款用于修復高端EUV掩膜的創新型機臺。 Park NX-Mask 采用最新的原子力顯微鏡技術，配有新一代的光罩修復系統，用于解決隨著器件尺寸縮小和光掩膜復雜性增加帶來的新式挑戰。從自動缺陷檢測到缺陷修復再到修復驗證的一站式解決方案為您提供了前所未有的修復效率，讓您的研究工作事半功倍。

 ? 無任何類型的缺陷損壞和修復風險

 ? 兼容雙EUV光罩盒

 ? 用于定位缺陷和修復后驗證的多效合一型解決方案

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使用AFM探針安全可靠地修復缺陷

來自 EUV 光源的錫 (Sn) 顆粒等碎片可能會落到光罩上并降低其光反射率，導致設備不能進行精確地壓印。Park NX-Mask 利用其成熟的納米機械 AFM 技術，以絕對安全可靠的方式發現并去除外來顆粒、修正復雜的圖案缺陷。與傳統的光罩修復系統相比，Park NX-Mask能在不造成任何損壞或擾亂光罩表面的情況下精準執行修復。

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為在線晶圓廠計量提供高生產率和強大特性

光片和基板的自動缺陷檢測

新的300mm光片ADR提供了從缺陷映射的坐標轉換和校正到缺陷的測量和放大掃描成像的全自動缺陷復查過程，該過程不需要樣品晶片上的任何參考標記，是獨特重映射過程。與掃描電子顯微鏡（SEM）運行后在缺陷部位留下方形的破壞性輻照痕跡不同，新的帕克 ADR AFM能夠實現先進的坐標轉換和更強的視覺，利用晶圓邊緣和缺口來自動實現缺陷檢查設備和AFM之間的連接。由于它是完全自動化的，因此不需要任何單獨的步驟來校準目標缺陷檢查系統的移動平臺，從而將吞吐量增加到1000%。

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基于強大視覺進行自動傳送和缺陷映射的校正

利用Park的專有坐標轉換技術，新型Park ADR AFM能夠將激光散射缺陷檢測工具獲得的缺陷映射精確地傳送到300mm Park AFM系統。

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自動搜索 & 放大掃描

缺陷分兩步成像；(1)檢測成像，通過AFM或增強光學視覺來完善缺陷定位，然后(2)放大AFM掃描來獲得缺陷的詳細圖像，呈現缺陷類型和隨后缺陷尺寸的自動分析。

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CMP進行表征的長范圍輪廓掃描

平坦化是在使用金屬和介電材料的后段工藝中最重要的步驟?；瘜W機械拋光（CMP）后的局部和全局均勻性對芯片制造的產量有很大的影響。精確的CMP輪廓掃描是優化工藝條件、獲得最佳平坦度以及提高生產率的關鍵計量。

C結合Park NX-Wafer的滑動平臺，為CMP計量提供了遠程輪廓分析能力。由于Park自動化原子力顯微鏡獨特的平臺設計，組合系統提供非常平坦的輪廓掃描，并且一般在每次測量之后不需要復雜的背景去除或前處理。Park NX-Wafer實現了前所未有的CMP測量，包括凹陷、侵蝕和邊緣過度侵蝕（EOE）的局部和全局的平坦度測量。

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亞埃級表面粗糙度控制

半導體供應商正在開發超平坦晶圓，以解決不斷縮小元件尺寸的需求。然而，從來沒有一個計量工具能夠給這些擁有亞埃級粗糙度的襯底表面提供準確和可靠的測量。通過在整個晶圓區域提供低于0.5A的業界最低噪聲下限，并將其與真正非接觸模式相結合，Park NX-Wafer可以對最平坦的基底和晶圓進行精確、可重復和可再現的亞埃級粗糙度測量，并最小化針尖的變量。即使對于掃描尺寸達到100μm×100μm的遠距離波度，也能夠獲得非常準確和可重復的表面測量。

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高吞吐量晶圓廠檢測和分析

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Park NX-Wafer的特征

長范圍輪廓儀

長范圍輪廓儀是原子力輪廓儀（AFP）的重要組成部分，并且具有用于自動CMP輪廓掃描和分析的專用用戶界面。

? 200mm : 10 mm
? 300mm : 25 mm (optional 10 mm or 50 mm)

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采用閉環雙伺服系統的100μm×100μm柔性導向XY掃描器

XY掃描儀由對稱的二維撓曲和高-力的壓電堆組成，它們提供高度正交的運動，同時具有最小的平面外運動，以及納米尺度上精確樣品掃描所必需的高響應性。兩個對稱的低噪聲位置傳感器被結合在XY掃描儀的每個軸上，以便為最大掃描范圍和樣品大小保持高水平的掃描正交性。非線性和非平面位置誤差的次級傳感器校正和補償是由單個傳感器引起的。

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擁有低噪聲位置傳感器的15μm高速Z掃描器

NX-Wafer通過利用其超低噪聲Z探測器代替通常使用的非線性Z電壓信號，為用戶提供前所未有的形貌高度得到的測量精度。行業領先的低噪聲Z探測器取代應用Z電壓作為形貌信號。由高-力壓電堆驅動并由撓性結構引導，標準Z掃描器具有高的諧振頻率，能夠進行更精確的反饋。最大Z掃描范圍可由15μm擴展到40μm，采用可選的長距離Z掃描儀。

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自動測量控制，使您可以獲得準確的掃描避免繁瑣的工作

NX-Wafer配備了自動化軟件，使操作幾乎不費吹灰之力只要選擇所需的測量程序，就可獲得精確的多點分析懸臂調整，掃描速率，增益和設定點參數的優化設置。 Park的用戶友好的軟件界面為您提供了創建定制操作例程的靈活性，以便您可以全方面使用NX-Wafer以獲得所需的測量。創建新例程很容易。從零開始，大約需要10分鐘，或不到5分鐘修改現有的一個。

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Park NX-Wafer的自動化系統特點:

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生產率滿足精度要

自動換針 (ATX)

ATX通過圖案識別自動定位針尖，并使用一種新穎的磁性方法使用過的探針脫離并拾取新的探針。然后通過電動定位技術自動對準激光光斑。

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用于更穩定掃描環境的離子化系統

我們創新的離子化系統快速有效地去除了樣品環境中的靜電電荷。由于該系統總是產生并維持正負離子的理想平衡，因此它能夠在樣品處理期間產生極其穩定的電荷環境，且對周圍區域幾乎沒有污染，可將意外靜電電荷的風險最小化。

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自動晶圓裝卸器 (EFEM or FOUP)

NX-Wafer可配置各種自動晶圓裝卸器(Cassette 或 FOUP 或其他)。高精度、非破壞性的晶圓裝卸器的機器人臂充分確保用戶始終獲得快速可靠的晶圓測量。

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用于定位缺陷和修復后驗證的非接觸原子力顯微鏡技術

Park NX-Mask 利用其專有的非接觸式 AFM 技術進行全方位掃描以確定缺陷位置。此技術安全高效。在全方位掃描過程中，Park NX-Mask 不僅能精準計算缺陷數量并且定位缺陷位置，還能獲悉每種顆粒和缺陷的各類信息。 修復后，Park NX-Mask采用AFM真正非接觸式技術進行修復后的驗證，生成納米級3D形貌和其他關鍵性的計量數據，如表面粗糙度。

Park NX-Wafer技術參數

系統規格

電動XY平臺

200mm : 行程可達275 mm × 200 mm, 0.5 μm 分辨率

300mm : 行程可達400 mm × 300 mm, 0.5 μm分辨率, 1 μm重復性

電動 Z 平臺

25 mm Z行程距離,

0.08 μm分辨率, < 1 μm重復性

電動聚焦平臺

9 mm行程Z軸光學距離

樣品厚度

厚至20 mm

Full scan range Z run-out

< 2 nm, repeatability < 1nm

COGNEX圖像識別

圖像校正分辨率 1/4 pixel

掃描儀性能

XY掃描器

100 μm × 100 μm (大范圍模式)

50 μm × 50 μm (中范圍模式)

10 μm × 10 μm (小范圍模式)

具有閉環控制的單模塊撓性XY掃描器

XY掃描器分辨率

0.15 nm (大范圍模式)

Z掃描器范圍

15 μm (大范圍模式)

2 μm (小范圍模式)

Z掃描器分辨率

0.016 nm (大范圍模式)

0.002 nm (小范圍模式)

Z掃描器噪聲

0.02 nm @ 1kHz

AFM and XY Stage

Control Electronics

ADC

18 channels

4個高速通道 ADC通道

X、Y和Z位置傳感器(24位ADC)

DAC

17 channels

2個高速通道 ADC通道

X、Y和Z的定位(20位DAC)

合規

CE

SEMI S2/S8標準

振動，噪聲，靜電防護（ESD）性能

地板振動要求

< 0.5 μm/s (10 Hz to 200 Hz w/ Active Vibration Isolation System)

噪音

>20 dB attenuation w/ Acoustic Enclosure

基礎設施需求

待機室溫

10 °C ~ 40 °C 

工作室溫

18 °C ~ 24 °C

濕度

30% to 60% (不凝結)

地板振動要求

VC-E (3 μm/sec)

噪音

Below 65 dB

氣動式

真空度 : -80 kPa

CDA (or N2): 0.7 MPa

電源額定值

208V - 240 V,單相, 15 A (最大)

總耗電量

2 KW (typical)

接地電阻

低于100歐姆

Options

Long Range Sliding Stage

? 200mm : 10 mm

? 300mm : 25 mm (optional 10 mm or 50 mm)

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自動換針 (ATX)

ATX通過圖案識別自動定位針尖，并使用一種新穎的磁性方法使用過的探針脫離并拾取新的探針。然后通過電動定位技術自動對準激光光斑。

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總動晶圓裝卸器 (EFEM or FOUP)

NX-Wafer可配置各種自動晶圓裝卸器(Cassette 或 FOUP 或其他)。高精度、非破壞性的晶圓裝卸器的機器人臂充分確保用戶始終獲得快速可靠的晶圓測量。

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用于更穩定掃描環境的離子化系統

我們創新的離子化系統快速有效地去除了樣品環境中的靜電電荷。由于該系統總是產生并維持正負離子的理想平衡，因此它能夠在樣品處理期間產生極其穩定的電荷環境，且對周圍區域幾乎沒有污染，可將意外靜電電荷的風險最小化。

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尺寸 & 重量

200 mm系統

2732 mm(w) × 1100 mm(d) x 2400 mm(h)

w/ EFEM, 2110 kg approx. (包括控制箱)

升限高度

2000 mm以上

操作者工作空間

最小3300 mm (w) x 1950 mm (d)

300 mm系統

3486 mm(w) × 1450 mm(d) x 2400 mm(h)

w/ EFEM, 2950 kg approx. (包括控制箱)

升限高度

2000 mm以上

操作者工作空間

最小4770 mm (w) x 3050 mm (d)

[ Park NX-Wafer 300mm安裝布局 ]

帕克 NX-Wafer 原子力顯微鏡由Park帕克原子力顯微鏡為您提供，如您想了解更多關于帕克 NX-Wafer 原子力顯微鏡 報價、型號、參數等信息，歡迎來電或留言咨詢。

注：該產品未在中華人民共和國食品藥品監督管理部門申請醫療器械注冊和備案，不可用于臨床診斷或治療等相關用途。