T/IAWBS 010-2019
碳化硅單晶拋光片表面質量和微管密度檢測方法-激光散射檢測法
Detection method for measuring the surface Detection method for measuring the surface quality and micropipe densityof polished monocrystalline silicon carbide wafers-Laser Scattering Method
- 標準號
- T/IAWBS 010-2019
- 發布
- 2019年
- 發布單位
- 中國團體標準
- 當前最新
- T/IAWBS 010-2019
- 適用范圍
- 隨著SiC產業的發展，獲得完美表面的SiC單晶拋光片已成為碳化硅材料應用的關鍵環節之一。為了制造高性能的SiC電力電子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度極高的無損傷超平滑表面，且無晶向偏差。因為即使表面存在微小缺陷，都會破壞晶體材料的表面性能，甚至導致結晶構造的變化，影響器件的電學性能?，F行的測試方法主要是在漫反射條件下依據目測觀察，而SiC單晶拋光片的表面存在著顆粒、劃痕、凹坑等缺陷，依靠人為目測，會存在較大誤差。本標準采用先進儀器，客觀的表征SiC單晶拋光片表面的劃痕、顆粒、凹坑等缺陷。