產地類別:進口 | 供應商性質:生產商 |
我們的設備和工藝已通過充分驗證,正常運轉時間可達90%以上,一旦設備安裝完畢,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市場應用廣,包括但不限于: MEMS和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術。它具有足夠的靈活性,可用于研究和開發,通過打造質量滿足生產需求。
PlasmaPro 100 ALE 的特點:
準確的刻蝕深度控制;
光滑的刻蝕表面
低損傷工藝
數字化/循環式刻蝕工藝——刻蝕相當于ALD
高選擇比
能加工最大200mm的晶圓
高深寬比(HAR)刻蝕工藝
非常適于刻蝕納米級薄層
應用
III-V族材料刻蝕工藝
固體激光器InP刻蝕
VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕
射頻器件低損傷GaN刻蝕
硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
類金剛石(DLC)沉積
二氧化硅和石英刻蝕
用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝,可處理封裝好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圓
高質量PECVD沉積的氮化硅和二氧化硅,用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途
用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕
牛津儀器PlasmaPro 100 ALE原子層刻蝕由牛津儀器科技(上海)有限公司為您提供,如您想了解更多關于牛津儀器PlasmaPro 100 ALE原子層刻蝕 報價、型號、參數等信息,歡迎來電或留言咨詢。
注:該產品未在中華人民共和國食品藥品監督管理部門申請醫療器械注冊和備案,不可用于臨床診斷或治療等相關用途。