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“芯”向未來 | 珀金埃爾默光刻膠研發相關解決方案（下集）
在《光刻膠研發相關解決方案推薦（上集）》 中推薦了兩個光刻膠研發相關解決方案，這次我們來介紹一下光刻膠曝光動力學原位測試與光刻膠DILL模型建立的相關解決方案。
1
光刻膠曝光動力學原位測試
紫外光-功率補償型差示掃描量熱分析儀
（用于光刻膠在不同紫外波段下的曝光動力學研究）
曝光動力學研究對于光刻膠的研發異常關鍵，因為其效能直接決定了制程良品率和生產效率。為了更加準確原位模擬光刻膠在不同紫外-可見波段下的曝光歷程，建議增加功率補償型差示掃描量熱分析儀（DSC）和紫外光源聯用設備，光源可選汞燈或者LED光源分別模擬不同波段范圍的實際需求，比如：模擬i線-365 nm，g線-436 nm或者h線-405nm采用汞燈，DUV區間則選擇LED光源等等。
目前市面上的DSC分為熱流型和功率補償型兩種原理。前者僅適合常規的熔點或結晶過程的測定，而功率補償型DSC 8500具備更高的量熱靈敏度，極短的瞬態背景干擾，且可主動補償由于紫外光源照射或固化過程產生的額外背景溫度/熱量擾動，非常適合用于研究光刻膠的固化動力學過程，為研發更加穩定可靠的新一代無機金屬氧化物復合光刻膠提供準確熱力學數據支撐。
2
?光刻膠DILL模型建立
——為理論計算提供支撐
高性能紫外-可見-近紅外分光光度計 [1]
（輔助建立DILL透光模型）
標量衍射原理計算模擬光刻膠的曝光過程一般采用Dill方程，以Dill模型或者Mack模型計算光刻膠的顯影過程，獲得其在單位體積分布范圍所吸收的光能大小，該大小最終決定了光刻膠曝光過程中各個組分自身化學結構的變化速率（反應速率）[2]。簡言之，我們必須保證所研發的光刻膠在固定的曝光時效內實現自上而下的均勻透光、反應。
DILL模型具備A，B和C三個參數。A代表與曝光相關的吸收參數，B代表與曝光非相關的吸收參數，C則代表光刻膠的漂白速率（化學物質的光化學反應速率）。利用高性能Lambda 1050+ UV-Vis光譜儀可以測定光刻膠在曝光前后的吸光度信號，輔助計算DILL模型所需的各個關鍵參數，為研究新型光刻膠的曝光顯影模擬提供基礎數據支撐。
PerkinElmer光刻膠解決方案
PerkinElmer的科學家們將會持續不斷的用更加全面的解決方案助力半導體行業蓬勃發展。
參考文獻：
[1] Andrew Estroff, Photoresist Absorbance and Bleaching.
[2] Chris Mack, Fundamental principles of optical lithography: the science of microfabrication, John Wiley & Sons, 2007.
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