在半導體制造過程中,N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)因其低蒸氣壓和相對較高的沸點(80°C)(可提升光刻膠的剝離效率)而被用作典型的光刻膠剝離液。NMP易于溶解有機雜質且不會損壞光刻膠本身,因此是該應用的最佳溶劑。然而,由于半導體制造過程需要超高純度的試劑,并且污染物的存在可能會對存儲設備的可靠性產生有害影響,因此必須對NMP進行痕量金屬污染分析。SEMI標準SEMI C33-0213規定,G4級別高純度NMP中每種元素污染限量值為小于100ppt。1
電感耦合等離子體質譜(ICP-MS)具有快速測量各種工藝化學品中超痕量(ng/L或ppt)水平分析物的能力,已成為質量控制必不可少的分析工具。然而,對有機溶劑進行直接分析時,尤其重要的是解決某些潛在問題,包括粘度和揮發性、進樣裝置的相容性、接口錐上碳沉積、基體衍生的多原子干擾以及碳含量引起的基體抑制/增強效應。對于揮發性有機溶劑,配備制冷裝置的霧化室可能有助于降低蒸氣壓并優化樣品提升率。通過霧化室向炬管等離子體中心管中引入少量氧氣,可以避免碳沉積在接口錐上。
NexION?系列ICP-MS具有可以消除干擾的多種技術,包括冷等離子體,已被證明可有效減少氬基干擾,從而進一步降低特定分析物的背景等效濃度(BEC)。使用多極和非反應氣體的碰撞池經證明可用于減少多原子干擾。然而,動能甄別會導致靈敏度損失,這是分析ppt水平時的一個難題。動態反應池(DRC)是另一種技術,使用O2和NH3等反應氣體,與多原子干擾選擇性發生反應。通過使用四極桿質量篩選器,DRC創建一個動態帶通,有效清除多原子干擾,而不會抑制分析物信號。
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試劑和樣品
通過添加少量超純HNO3(Tamapure AA-10,Tama Chemicals,日本神奈川),對超高純N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP,FUJIFILM Wako Pure Chemical,日本東京)進行酸化。
由于樣品性質原因,采用標準加入法(MSA)進行定量。處理大量樣品時,如果用于制備標準品的溶劑具有最高純度,則可以選擇外標法。
在本文中,將10 mg/L多元素標準品(TruQ Ms定制標準品,珀金埃爾默,美國康涅狄格州謝爾頓)在酸化NMP中稀釋,制備標準溶液。所有元素均制備了濃度最高為20 ppt的各種校準標準溶液,P、Si和S除外,它們的濃度最高為40 ppb。
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儀器
所有分析均使用NexION 2200 ICP-MS(珀金埃爾默,美國康涅狄格州謝爾頓)進行。NexION ICP-MS系統采用通用池技術(UCT),提供三種操作模式:
1. 動能甄別(KED):
在這種模式下,離子之間發生碰撞,而KED有助于區分不需要的干擾物。
2. 具有動態帶寬調諧的動態帶寬(DRC):
該模式在UCT內采用精確控制的帶通濾質器。它可以選擇性的消除副反應,防止干擾形成。
3. 標準(無反應池氣體):
當特定應用不需要反應池氣體時,用戶可以選擇該模式。
本文證明了NexION 2200 ICP-MS消除干擾的能力,可以在單次分析中僅使用熱等離子體條件精確測量NMP中的痕量雜質。
儀器參數和進樣組件見表1。通過霧化室的全基體進樣系統(AMS)端口加入氧氣,防止接口錐上碳沉積。
所有樣品制備和分析步驟均在受控實驗室內的100級潔凈間中進行。為了消除對被測分析物的質譜干擾,使用NH3、H2和O2三種反應氣體。儀器工作條件如表1所示。
表1. NexION 2200 ICP-MS儀器參數和進樣組件
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線性度
根據NMP中元素的本底等效濃度(BEC),采用標準加入法(MSA),加標1至20 ppt,獲得金屬雜質的校準曲線。非金屬元素(Si、S和P)的校準曲線基于較高的加標濃度,Si和P 1至6 ppb,S 10至40 ppb。所有曲線的線性回歸值(r)均大于0.999,表明優異的線性以及儀器準確測量能力,特別是在低濃度下。
Mg、Al、Cr、Fe和Si的選擇性校準曲線如圖1所示,均表現出優異線性。這意味著通過反應性NH3和H2氣體結合反應池內的動態帶寬調諧(DBT)可以有效去除所有碳和氧相關的多原子干擾。
圖1.NMP中Mg、Al、Cr和Fe的校準圖,使用NH3作為反應池氣體,流速為0.6 mL/min,以及Si校準圖,使用H2作為反應池氣體,流速為1 mL/min。分別在Al和Fe的濃度為5、10、15和20 ppt,Mg和Cr濃度為1、2、4、6、8和10 ppt以及Si濃度1、2、4、6 ppb的條件下進行校準(點擊查看大圖)
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檢測限和本底等效濃度
表2總結了NMP分析的檢測限(DL)和本底等效濃度(BEC)。檢測限(DL)計算為未加標樣品7次重復測量的標準偏差的3倍,背景等效濃度(BEC)為未加標樣品的測量濃度。
表2.NMP中所有目標分析物的DL和BEC(點擊查看大圖)
*Si、P和S單位為ppb。
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穩定性
N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)是ICP-MS分析的一種挑戰性基體,因為它的高沸點和粘度會導致不完全蒸發和殘留物堆積在接口處,從而干擾測量的準確性和長期穩定性。為了證明NexION 2200 ICP-MS耐受有機基體的穩定性,將1% HNO3酸化后的NMP樣品加標已知濃度的標準品,連續進樣到NexION系統中,在不沖洗的情況下測量8小時。結果如圖2所示,該系統表現出優異的穩定性,每種分析物的相對標準偏差(RSD)小于3%。此外,如圖3所示,信號強度在原始讀數的±10%范圍內,無明顯趨勢,進一步證明了該系統和方法的卓越穩定性。這些發現突出了NexION 2200成功測定有機基體中所有SEMI所需元素的能力。
圖2.NMP 8小時長期分析的RSD
圖3.1 ppb加標NMP樣品8小時的多模式分析
本文展示了NexION 2200 ICP-MS準確測量N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中痕量雜質的能力。利用專有通用池技術(UCT)的反應模式,有效降低了氬基和碳基多原子質譜干擾。因此通過ICP-MS測定通常存在問題的元素可以達到良好的準確度和精密度。正如本文中NMP分析所證明,使用純NH3、O2和H2作為反應氣體,可以在半導體行業中使用的有機化學品中測定全套半導體元素。
長期連續吸入有機溶劑顯示出優異的穩定性,證明了NexION 2200 ICP-MS的穩定性,即使在處理揮發性有機溶劑時也是如此。總的來說,這些發現表明NexION 2200 ICP-MS適合對半導體應用至關重要的有機溶劑中的ppt水平的超痕量雜質進行常規定量。
所用耗材
參考文獻
1.SEMI Standard C33-0213, Guideline for n-Methyl 2-Pyrrolidone,available from http://www.semi.org/en/index.htm